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Si4890DY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Q g , Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.012 at V GS = 10 V
0.020 at V GS = 4.5 V
I D (A)
± 11
±9
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? High-Efficiency PWM Optimized
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
Top View
S
Ordering Information: Si4890DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4890DY -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 25
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 11
±9
± 50
2.3
2.5
1.6
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
70
50
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 10 s.
Document Number: 70855
S09-0869-Rev. B, 18-May-09
www.vishay.com
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